1

组合敏感类型

表压-温度

绝压-温度

差压-静压-温度

表压-绝压-温度

2

硅晶圆类型

全硅单晶

SOI硅单晶

3

基准压力量程

表压、

绝压

差压

0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa

100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100MPa

0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、

过载能力

≥3倍基准量程（≤10MPa）；≥1. 5倍基准量程（＞10MPa）；

≥1. 25倍基准量程（≥60MPa）

双向≥4倍基准量程

1^*

桥路电阻

3～5kΩ

4

零点输出

≤ ±20mV

2^*

5

满量程输出

≥20mV（20kPa、35kPa）；≥30 mV（20kPa、30kPa）；≥50 mV（其它基准量程）

2^*

6

准确度

≤ ±0.15%FS （其它基准量程）；≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa）；

 ± 0.5%FS（≤10kPa）

3^*

7

工作温度

-55～+125℃；-55～+150℃

8

零点热漂移

≤ 6%FS/℃（≤10kPa）

≤ 4%F.S /55℃（其它基准量程）

4^*、5^*

9

满量程热漂移

≤10%FS/℃（≤10kPa）

≤ 8%F.S /55℃（其它基准量程）

4^*、5^*

10

PN结硬击穿电压

≥25V(I=10μA档)

11

短期稳定性

±0.05%FS/8h

12

供电电源

恒流0.5～1.5mA,或恒压5V～10V

13

电桥形式

闭桥

14

热敏电阻阻值

40～60kΩ

6^*

15

热敏电阻温度系数

≥50Ω/℃

6^*

芯片表面尺度

≤3.5×2.75（mm）

≤2.3×2（mm）

≤1.55×1.55（mm）

7^*