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BP130系列特种硅压阻压力敏感芯片
    发布时间: 2023-10-07 11:15    

数字化系统协同设计、MEMS工艺制造

SiO2层绝缘隔离扩散硅敏感电桥

BP130系列特种硅压阻压力敏感芯片

特点：


数字化系统协同设计、MEMS工艺制造

SiO2层绝缘隔离扩散硅敏感电桥

特殊功能结构和材料

适应高宽工作温度范围

适应与硅、玻璃兼容的介质环境

表压、绝压、差压类型齐全

覆盖低、中、高宽压力量程范围


                       主要性能指标：


序号

项目

规格指标

备注

1

系列

耐高温冲击

贴片


2

类型

表压、绝压、差压


     3

基准压力量程

100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10Mpa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100Mpa、200MP

100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa

1*

     4

量程过载能力

≥3倍基准量程（≤10MPa）； ≥1. 5倍基准量程（＞10MPa）； ≥1. 25倍基准量程（≥60MPa）

2*

5

桥路电阻

3～5kΩ


6

零点输出

≤ ±25mV

3*

7

满量程输出

≥20mV（20kPa、35kPa）；  ≥30 mV（20kPa、30kPa）；  ≥50 mV（其它基准量程）

3*

8

准确度

≤ ±0.2%FS （其它基准量程）；   ≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa）

 ± 0.5%FS（≤10kPa）

3*、4*

9

灵敏度对称性

≤ ±0.3%FS

4*

10

工作温度范围

下限-55℃；上限+540℃；

下限-55℃；上限+230℃；


11

热零点漂移

≤ 1%FS/℃（≤10kPa）；      ≤0.8%F.S /55℃（其它基准量程）

5*、6*

12

热灵敏度漂移

≤2%FS/℃（≤10kPa）；       ≤ 1%F.S /55℃（其它基准量程）

5*、6*

13

短期稳定性

≤±0.03%FS/8h

3*

14

激励电源

恒流0.5～1.5mA,或恒压5V～10V


15

电桥连接形式

闭桥


16

芯片表面尺寸

≤3.5×2.7（mm）

≤1×1（mm），≤1,5 ×1.5（mm）

7*

 注：1*. 可定制中间压力量程；                             2*. 100MPa量程过载为本量程上限；

         3*. 5VDC恒压激励，恒温25℃；                       4*. 非线性数据计算为最小二乘法；                    

                5*. 1mADC恒流激励，恒温25℃(可补偿性)； 6*. 55℃温区为-30～25℃或25～80℃(可补偿性)；

                7*. 硅片厚度c=500μm。


    可提供定制服务，如有需求请与营销人员联系。


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